Metoda de crestere prin depunere chimica din faza de vapori (CVD)

Metoda de crestere prin depunere chimica din faza de vapori (CVD)

CVD este o metoda puternica in tehnologia actuala. Ea permite:

- realizarea unor straturi epitaxiale la temperaturi (θce) inferioare temperaturi de topire (θt);

- controlul relativ simplu al grosimii stratului epitaxial si a doparii (uniforme) a acestuia;

- perfectiune cristalina ridicata a stratului (mai ales in varianta homoepitaxiala);

- folosirea unor presiuni 'rezonabile' in reactor (0.1-3 atm) evitand dificultatile tehnologice pentru producerea unui vid inaintat;

- cresterea unor straturi compuse (multi component).

Exista sigur si unele dezavantaje legate de:

- complexitatea fazei de vapori; «urme ale gazului purtator in stratul depus;

- reactii chimice nedorite; interdifuzii strat - substrat; autodopare;

- echipamentul CVD se poate realiza in diferite variante de reactoare: verticale, orizontale, Barrel, Pancake, etc, in functie de tipul epitaxiei si productivitatea necesara.

In general, trebuie asigurate:

- incalzirea uniforma a plachetelor;

- racirea peretilor reactorului cu aer sau apa de racire.

Fig.6. Reactor pentru crestere epitaxiala a straturilor dopate de siliciu

Doparea poate fi realizata ingloband in gazul purtator specii dopante (fig. 6) cum ar fi diboran B₂H₆ (gaz), pentru B in siliciu sau fosfina (PH₃), arsina (AsH₃) pentru dopanti de tip n cum ar fi fosfor respectiv arseniu.