Materiale utilizate:
Placheta 1 Si l=234 um
Placheta 2 Ge
Placheta 3 Si l=350 um
Relatii de calcul ale rezistivitatii electrice :
( ( EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 unde s=1.6
( ( EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 unde l este lungimea de difuzie pentru
fiecare placheta
Determinarea experimentala a variatiei rezistivitatii electrice relative a unui monocristal de Ge cu temperatura 1>3s.
Determinarea latimii benzii interzise pentru un semiconductor din Ge
Relatia de calcul:
Wi= 1.725* EMBED Equation.3 *10-4 [eV]
Schema montajului:
Semiconductor
Tabele de date si rezultate:
