Procesul cu izolare cu oxid (LOCOS)

Procesul cu izolare cu oxid (LOCOS)

Abandoneaza ideea de a izola componentele prin jonctiuni blocate, inlocuind-o cu izolarea cu oxid. Prin aceasta creste densitatea de integrare deoarece distantele destul de mari necesare pana acum pentru a evita "atingerea" zonelor de sarcina spatiala pot fi micsorate.

Raportul de arie intre cea necesara si procesul SBC si cea necesara in procesul in care izolarea se face cu oxid pentru realizarea unui tranzistor npn este de ordinul 2-3, unitati ceea ce inseamna cel putin dublarea densitatii de integrare.

O varianta a acestui proces a primit numele de LOCOS (Locally Oxidised Silicon).

Insula izolata si structura care se obtine este prezentata in fig.8.

Fig.8. Izolare LOCOS; Structura tranzistorului npn in aceasta varianta tehnologica