Metoda cristalizarii directe (procesul de solidificare "normala")

Metoda cristalizarii directe (procesul de solidificare "normala")

In aceasta metoda tot materialul este topit initial si apoi racit gradat, unidirectional; in fig.2 este prezentat un lingou orizontal 'strabatut' de la stanga la dreapta de un front de solidificare, FS.

Se presupune ca:

. difuzia impuritatilor din lichid in solid este neglijabila;

. coeficientul de segregatie este constant;

. modificarile de densitate in cursul solidificarii sunt nesemnificative.

Fig.2. Determinarea concentratiei de impuritati in lingoul semiconductor

in urma cristalizarii directe